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삼성전자, 美서 S램 인재 영입…차세대 반도체 경쟁력 강화
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초미세 공정 한계 돌파 관건…설계 역량 확보 총력 메모리·파운드리·시스템 LSI 잇는 기술 삼각축 강화  삼성전자가 미국 새너제이와 오스틴 연구거점을 중심으로 S램 설계 인재를 모집하며 차세대 반도체 기술 내재화에 속도를 내고 있다. 글로벌 인공지능(AI)·모바일·고성능컴퓨팅(HPC) 시장 확대로 S램의 전략적 가치가 높아지는 가운데, 삼성의 움직임은 기존 D램·낸드 중심의 메모리 사업 구조를 보완하고 시스템반도체 경쟁력까지 끌어올리려는 포석으로 풀이된다. 16일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 최근 미국에서 채용공고를 통해 ‘S램 회로 설계 엔지니어’와 ‘S램 회로·로직 설계 엔지니어’ 채용에 나섰다. 근무지는 새너제이와 오스틴에 위치한 삼성 오스틴 R&D 센터(SARC)와 첨단컴퓨팅랩(ACL)이다. 공고에 따르면 채용 대상은 5나노 이하 첨단 공정에서 S램 제어회로 등을 설계·최적화할 수 있는 고급 인력이다. 제시된 연봉 범위는 15만7000~25만7000달러 수준으로, 업계 상위권 수준이다. S램은 전원이 꺼지면 데이터가 사라지는 휘발성 메모리의 일종으로, D램과 달리 접근 지연이 거의 없다. 대신 면적이 크고 제조 단가가 높아 주로 CPU·GPU 캐시 메모리 등 고성능 보조 용도로만 쓰여왔다. 그러나 최근 AI 연산 병목을 해소할 수 있는 핵심 수단으로 재조명받고 있다. CPU 성능이 사실상 ‘캐시 메모리 싸움’으로 불릴 만큼 대용량 S램의 가치가 급부상했고, 실제 AMD·엔비디아뿐 아니라 메타·테슬라 등도 AI 칩에 S램을 확대 적용하고 있다. S램의 장점은 속도와 전력 효율성이다. 외부 메모리 데이터를 불러오는 과정에서 발생하는 병목을 줄이고, 처리장치 가까이에 붙여 설계하면 연산 효율을 크게 높일 수 있다. 업계에서는 “AI 추론용 반도체가 온디바이스 환경으로 이동하는 시점에서 S램은 단순한 보조 메모리를 넘어 필수 자원”이라는 평가를 내놓는다. 삼성은 이번 채용을 통해 차세대 공정에 맞는 고성능·저전력 S램 설계 역량을 확충한다는 방침이다. CPU·GPU 등 고성능 칩은 연산 효율성을 좌우하는 캐시 메모리로 대규모 S램을 필요로 한다. 특히 AI 학습·추론, 모바일 애플리케이션 프로세서(AP), 전장용 반도체 수요 확대에 따라 S램 최적화가 시스템반도체 경쟁력의 핵심 요소로 떠오르고 있다. 업계 관계자는 “S램은 공정 미세화가 어려워 효율적 설계 능력이 곧 기술력”이라며 “삼성이 글로벌 설계 인력을 적극 확보하는 배경”이라고 설명했다. 업계에서는 이번 삼성전자의 행보가 단순한 인력 충원을 넘어 글로벌 파운드리 경쟁 구도와도 맞닿아 있다고 본다. 현재 7나노 이하 초미세공정을 안정적으로 구현할 수 있는 곳은 TSMC와 삼성전자뿐이다. 향후 AMD, 인텔은 물론 IBM, 레노버, 에이수스 등 주요 CPU 제조사들이 대용량 S램 기반 제품을 본격 설계할 경우, 생산은 사실상 두 업체 가운데 하나를 통해서만 가능하다. 특히 S램은 기존 D램·낸드와 달리 고객 맞춤형 설계(IP) 비중이 크다. 삼성은 이번 채용을 통해 메모리 사업과 시스템 LSI, 파운드리를 연결하는 기술 삼각축을 강화할 것으로 보인다. AI·데이터센터용 반도체 수요가 폭발적으로 늘어나는 상황에서, PPA(전력·성능·면적) 효율을 극대화한 S램 설계는 차세대 반도체 경쟁에서 승부처가 될 전망이다. 업계 관계자는 “S램 강화는 단순한 인력 충원이 아니라 글로벌 IP 경쟁 대응”이라며 “AI 시대 반도체 판도를 가를 변수”라고 말했다. <저작권자 ⓒ 이투데이 무단전재/재배포 금지>
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