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2025년 11월 14일 16:40 최지은 기자

삼성전자·SK하이닉스, 올 3분기 R&D 투자 나란히 확대

삼성전자와 SK하이닉스가 올 3분기 R&D(연구개발) 비용을 나란히 확대했다. 시설 투자는 1년 전과 비교해 증가하거나 비슷한 수준을 유지했다. AI(인공지능) 수요 확대에 따른 '메모리 수퍼사이클(초호황기)'을 맞아 차세대 기술 리더십을 확보하기 위한 선제적 투자로 해석된다.

14일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자는 올해 3분기 R&D 비용으로 26조8881억원을 집행했다. 지난해 동기(24조7465억원)보다 2조원 이상 늘어났다. 3분기 누적 기준으로 역대 최대 규모다.

같은 기간 삼성전자의 시설 투자액은 약 32조3000억원을 기록했다. 1년 전(약 35조8000억원)보다 소폭 줄었으나 여전히 30조원대 투자를 이어갔다.

삼성전자는 "DS(디바이스솔루션) 부문과 삼성디스플레이 등의 첨단공정 증설·전환과 인프라 투자를 중심으로 시설 투자가 이뤄졌다"며 "메모리 차세대 기술 경쟁력 강화와 중장기 수요 대비를 위한 투자를 지속 추진했고 시스템 반도체는 첨단 노드 캐파(CAPA·생산능력) 확보를 위한 투자도 진행 중"이라고 밝혔다.

삼성전자는 올해 총 47조4000억원 규모의 연간 시설 투자를 진행할 계획이다. 이 중 41조원은 반도체 사업을 담당하는 DS부문에 투입한다.

SK하이닉스는 올해 3분기 R&D 비용으로 4조6472억원을 지출했다. 1년 전(3조5584억원)과 비교해 약 30.6% 늘었다. SK하이닉스의 올해 3분기까지 누적 설비 투자액은 17조8250억원으로 상반기(11조2490억원)보다 6조5760억원 증가했다.

SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 등 첨단 메모리 수요 증가에 대응하기 위해 충북 청주 M15X 팹(공장)에 20조원 규모의 시설 투자를 진행 중이다. 팹 건설에 들어가는 비용만 5조3000억원에 이른다. M15X는 최근 클린룸을 조기 오픈하고 장비 반입을 시작했다. 이밖에 용인 반도체 클러스터와 미국 인디애나주 팹에도 대규모 투자를 진행하고 있다.

김우현 SK하이닉스 CFO(최고재무책임자)는 지난달 29일 올해 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "M15X는 장비 반입이 본격 시작됐고 용인 반도체 클러스터 팹 건설과 미국 인디애나주 첨단 패키징 공장 건설 준비 등을 감안하면 인프라 투자 규모는 내년에도 지속적으로 증가할 것"이라고 밝혔다.

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