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| 제목 : [특징주] 큐에스아이, 삼성 지원 경북대와 극저온 차세대 반도체 전자소자 개발에 상승세
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| 2025년 06월 18일 11:14 김우람 기자 |
| [특징주] 큐에스아이, 삼성 지원 경북대와 극저온 차세대 반도체 전자소자 개발에 상승세 |
큐에스아이가 삼성의 지원을 받은 경북대와 공동으로 극저온 차세대 반도체 전자 소자 개발 소식에 상승세다. 향후 관련 기술을 발전시켜 사업 확대를 할 수 있다는 기대감이 반영된 것으로 해석된다.
18일 오전 11시 12분 현재 큐에스아이는 전일 대비 970원(12.44%) 오른 8700원에 거래됐다.
이날 경북대학교 전자공학부 김대현 교수팀은 극저온(4K) 환경에서 차단 주파수(fT)와 최대 공진 주파수(fmax)가 모두 800GHz 이상으로 세계 최고 수준의 성능과 가장 균형적인 주파수 특성을 가지는 인듐갈륨비소 물질 기반의 고전자 이동도 트랜지스터(High-Electron-Mobility Transistors, HEMTs) 반도체 전자소자를 개발했다.
경북대에 따르면 이번 연구 성과는 최근 일본 교토에서 열린 VLSI 심포지엄에서 공개됐다.
VLSI 학회는 세계 3대 반도체 학회 중 하나로 일본과 미국을 번갈아 가며 심포지엄을 개최하고 있다.
김 교수팀이 개발한 화합물 반도체 전자소자는 극저온 환경인 4K의 온도에서 동작 속도를 결정하는 차단 주파수(fT)가 813GHz, 동작 주파수 대역을 결정하는 최대 공진 주파수(fmax)가 807GHz로 나타났다.
이는 기존 발표된 fT 662GHz와 fmax 653GHz을 뛰어넘는 수치로 극저온 환경에서 fT와 fmax 모두 800GHz를 초과한 것은 세계 최초이다.
이번 연구는 경북대 김대현 교수와 손승우 박사과정생, 국내 양자컴퓨팅 기업인 큐에스아이, 저잡음 증폭기 모듈 관련 글로벌 기업인 스웨덴의 LNF(Low-Noise Factory)와 공동으로 수행했으며 삼성미래기술육성사업과 과학기술정보통신부 차세대화합물반도체핵심기술개발사업, 산업통상자원부 국제공동기술개발사업의 지원을 받아 진행됐다.
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