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| 제목 : 손윤익 SK하이닉스 팀장, 대한민국 엔지니어상 수상…“진정한 원팀 되길”
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| 2025년 06월 18일 14:38 이수진 기자 |
| 손윤익 SK하이닉스 팀장, 대한민국 엔지니어상 수상…“진정한 원팀 되길” |
과기부·산업기술협회 주관 시상식
소자 엔지니어로 D램 성능 이바지
회로 소자 기술 향상에 큰 기여
SK하이닉스는 18일 ‘2025년 상반기 대한민국 엔지니어상 시상식’에서 손윤익 미래기술연구원 DPERI조직 팀장이 대한민국 엔지니어상을 수상했다고 밝혔다.
전날 서울 강남구 삼정호텔에서 개최된 이번 시상식은 과학기술정보통신부와 한국산업기술진흥협회가 진행하는 행사다. 산업 현장에서 탁월한 연구개발 성과를 이뤄낸 엔지니어에게 상을 수여한다.
정보기술(IT) 엔지니어 분야에서 수상하게 된 손 팀장은 SK하이닉스의 차세대 AI 반도체 기술 개발을 이끌어온 인물로 평가된다. 입사 19년 차로 소자 엔지니어로서 다양한 D램 제품의 트랜지스터 개발에 집중해 왔다. 특히 인공지능(AI) 반도체인 고대역폭메모리(HBM)과 모바일용 저전력 D램인 저전력더블데이터레이트(LPDDR) 개발을 주도했다.
LPDDR5 개발 과정에서는 D램에 HKMG 공정을 성공적으로 적용해 업계의 주목을 받기도 했다. HKMG는 누설 전류를 막는 차세대 공정 기술로 SK하이닉스의 메모리 제품 경쟁력을 끌어올리는 데 기여했다.
손 팀장은 “LPDDR과 HBM은 단순히 성능만 높인다고 되는 것이 아니라, 저전력, 신뢰성, 양산성까지 동시에 확보해야 했던 어려운 도전이었다”고 회상했다.
손 팀장의 큰 성과는 D램에 HKMG 공정을 성공적으로 적용한 일이다. 본래 HKMG 공정은 CPU나 AP와 같은 로직 반도체에 적용됐던 공정으로 D램 제조에 적용하기에는 많은 제약이 있어 그동안 시도되지 않았다. 그러나 손 팀장의 도전으로 제품의 성능과 전력 효율을 끌어올릴 수 있었다.
회로 영역의 소자 기술에서도 혁신을 이뤄낸 것으로 평가된다. 이 기술은 SK하이닉스의 HBM 성능 개선에 큰 도움이 됐다.
손 팀장은 “최근 AI에 사용되는 고성능 D램은 초고속, 초저전력 특성이 필수인데 이를 만족하기 위해선 회로 영역의 성능이 중요한 역할을 한다”며 “방대한 양의 데이터를 처리해야 하는 AI 메모리는 데이터가 다니는 입구와 출구 역할을 하는 회로 영역의 성능이 뒷받침되지 않는다면 병목현상이 발생할 수밖에 없고 제품 자체의 성능 향상도 기대할 수 없다”고 밝혔다.
손 팀장은 “AI 시대로 전환하는 중대한 시점에 있다”면서 “기술은 결국 사람이 만드는 것이며 구성원 개개인의 열정과 집중력, 협업이 가장 큰 경쟁력”이라고 말했다.
아울러 “기술의 깊이만큼, 동료와의 신뢰와 협업의 깊이도 중요하다”며 ‘원팀’을 강조했다.
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